SSD داخلي SAMSUNG 990 EVO Plus بسعة 4 تيرابايت، واجهة PCIe Gen 4.0 x4 / 5.0 x2 NVMe 2.0، سرعة قراءة تصل إلى 7250 ميجابايت/ثانية وسرعة كتابة تصل إلى 6300 ميجابايت/ثانية، V-NAND TLC | MZ-V9S4T0BW
- حالة التوفر :
- متوفر
- النوع :
- 990 EVO Plus
- الشركة :
- سامسونج
QAR 1,186.93
QAR 1,088.02
You save QAR 98.91
مايكرو لس
990 EVO Plus
Specifications
| Model Code (Capacity) | MZ-V9S4T0BW (4TB) |
| General Features | |
| Application | Client PCs |
| Form Factor | M.2 (2280) |
| Interface | PCIe® Gen 4.0 x4 / 5.0 x2 NVMe™ 2.0 |
| Dimension (WxHxD) | 80.15 x 22.15 x 2.38mm |
| Weight | Max 9.0g |
| Storage Memory | Samsung V-NAND TLC |
| Controller | Samsung in-house Controller |
| Cache Memory | HMB (Host Memory Buffer) |
| Special Features | |
| TRIM Support | Supported |
| S.M.A.R.T Support | Supported |
| GC (Garbage Collection) | Auto Garbage Collection Algorithm |
| Encryption Support | AES 256-bit Encryption (Class 0), TCG/Opal, IEEE1667 (Encrypted Drive) |
| WWN Support | Not Supported |
| Device Sleep Mode Support | Yes |
| Performance | |
| Sequential Read | Up to 7,250 MB/s |
| Sequential Write | Up to 6,300 MB/s |
| Random Read (4KB, QD32) | Up to 1,050,000 IOPS |
| Random Write (4KB, QD32) | Up to 1,400,000 IOPS |
| Environment | |
| Average Power Consumption | Read 5.5W / Write 4.8W |
| Power Consumption (Idle) | Typical 60mW for all capacities |
| Power Consumption (Sleep) | Typical 5mW for all capacities |
| Allowable Voltage | 3.3V ± 5% |
| Reliability (MTBF) | 1.5 Million Hours |
| Operating Temperature | 0 - 70°C |
| Shock Resistance | 1,500 G & 0.5 ms (Half sine) |
جنرال لواء
العلامة التجارية
- سامسونج
الموديل
- 990 EVO Plus
كود تخزين مايكروليس
- 224350
تاريخ متاح الأولى
- 24 ديسمبر، 2024
وزن المشتريات
- 0.10 كغ
مقاسات الشحنة
- 2.00 سم x 10.00 سم x 14.51 سم
الشكل
- M.2
هذا الموقع هو منصة مختصة بالبحث عن اسعار المنتجات في قطر, لمساعدتك في البحث عن افضل سعر للمنتجات في السوق. اكتب اسم او رقم المنتج الذي تبحث عنه في مربع البحث بالاعلى واضغط على زر البحث, وسنقوم بإظهار الناتئج المطابقة مرتبة حسب افضل سعر.
