هذا الموقع هو منصة مختصة بالبحث عن اسعار المنتجات في الاردن, لمساعدتك في البحث عن افضل سعر للمنتجات في السوق. اكتب اسم او رقم المنتج الذي تبحث عنه في مربع البحث بالاعلى واضغط على زر البحث, وسنقوم بإظهار الناتئج المطابقة مرتبة حسب افضل سعر. 

  • N-Channel IGBT Transistor 14A 600V HGT1S7N60C3D | E-components Transistors

N-Channel IGBT Transistor 14A 600V HGT1S7N60C3D | E-components Transistors

حالة التوفر :
متوفر
النوع :
الشركة :
أوف-براند
JOD 3.00
Not yet rated Write a review

مواصفات المنتج

Description:

UFS N-Channel IGBT Transistor 

The HGT1S7N60C3D is a MOS gated voltage switching device. It has the benefits of a MOSFET with high input impedance along with the low on-state conduction loss of a bipolar transistor. 

Maximum Ratings 

  • Collector-Emitter Voltage: 600V 
  • Collector Current Continuous 
  • At TC = 25 C: 14A 
  • At TC = 110 C: 7A 
  • Average Diode Forward Current at 110 C: 8A 
  • Collector Current Pulsed: 56A 
  • Gate-Emitter Voltage Continuous:  20V 
  • Gate-Emitter Voltage Pulsed:  30V 
  • Switching Safe Operating Area at TJ = 150 C: 40A @ 480V 
  • Power Dissipation Total at TC = 25 C: 60W 
  • Derating TC > 25 C: 0.487W/ C 
  • Operating and Storage Junction Temperature Range: -40  to 150 C 
  • Short Circuit Withstand Time @ VGE = 15V: 1us 
  • Short Circuit Withstand Time @ VGE = 10V: 8us 

Applications: 

  • AC and DC Motor Controls 
  • Power Supplies and Drivers for Solenoids 
  • Relays and Contactors 

Manufactured by: Harris 

  • Part Number: HGT1S7N60C3D 

Features:

  • 14A600V at TC = 25 C 
  • 600V Switching SOA Capability 
  • Typical Fall Time: 140ns @ TJ = 150 C 
  • Short Circuit Rating 
  • Low Conduction Loss 
  • Hyperfast Anti-Parallel Diode 

Documents:

  •  Harris 14A 600V UFS Transistor HGT1S7N60C3D