IRF630N N-MOSFET 200V 9.3A | Electronics | Electronics components | Active Components | Transistors

Efficiently switch and control high-voltage loads with the IRF630N N-Channel MOSFET. This robust MOSFET transistor can handle continuous drain currents up to 9.3A and drain-source voltages up to 200V, making it suitable for various applications such as switching power supplies, motor control, and high-voltage circuits. Its low on-state resistance ensures efficient operation, minimizing power loss and heat generation. Achieve reliable and high-performance power control with this versatile N-channel MOSFET.

Key Specifications:

• Type: N-channel MOSFET
• Model: IRF630N
• Drain-Source Voltage (VDSS): 200V
• Continuous Drain Current (ID): 9.3A
• On-State Resistance (RDS(on)): 0.4 ohms
• Applications: Switching power supplies, motor control, high-voltage circuits

‫قم بتبديل الأحمال عالية الجهد والتحكم فيها بكفاءة باستخدام IRF630N N-Channel MOSFET. يمكن لترانزستور MOSFET القوي هذا التعامل مع تيارات استنزاف مستمرة تصل إلى 9.3 أمبير وفولتية استنزاف المصدر حتى 200 فولت، مما يجعله مناسبًا لمختلف التطبيقات مثل تبديل مصادر الطاقة والتحكم في المحرك والدوائر عالية الجهد. تضمن مقاومة حالته المنخفضة التشغيل الفعال، مما يقلل من فقد الطاقة وتوليد الحرارة. حقق تحكمًا موثوقًا وعالي الأداء في الطاقة باستخدام N-channel MOSFET متعدد الاستخدامات هذا.

المواصفات الرئيسية:

• ‫النوع: N-channel MOSFET
• ‫الطراز: IRF630N
• ‫جهد التصريف المصدر (VDSS): 200 فولت
• ‫تيار التصريف المستمر (ID): 9.3A
• ‫المقاومة في حالة التشغيل (RDS (on)): 0.4 أوم
• ‫التطبيقات: تبديل مصادر الطاقة، والتحكم في المحركات، والدوائر عالية الجهد